반도체용가스
반도체용 가스는 반도체의 특성을 만들기 위한 DOANT, ETCHANT, REACTANT, PURGE 가스 등으로 구분되며 그 종류가 다양하고 대부분 독성이며, 높은 순도를 요하며, LSI, LED, LCD 등과 같은 반도체 장치의 제조에 사용되는 가스를 말합니다. 이러한 반도체용 특수가스는 높은 가연성과 독성을 지니고 있어 극히 위험하기 때문에 생산, 검사, 운송시 고도의 관리가 요구됩니다.
용도
- 반도체 제조산업
- 반도체 제조 연구용
반도체용 특수가스의 종류
Silicon Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 1. SiH4 | 모노실란 | Silane |
| 2. Si2H6 | 디실란 | Disilane |
| 3. SiF4 | 사불화규소 | Silicon Tetrafluorosilane |
| 4. SiCl4 | 사염화규소 | Silicon Trichlorosilane |
| 5. SiHCl3 | 삼염화실란 | Trichlorosilane |
| 6. SiH2Cl2 | 디클로로실란 | Dichlorosilane |
Aresenic Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 7. AsH3 | 알루신 | Arsine |
Phosphorus Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 8. PH3 | 포스핀(인화수소) | Phosphine |
Boron Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 9. B2H6 | 디보란 | Diborane |
| 10. BF3 | 삼불화 붕소 | Boron trifluoride |
| 11. BCl3 | 삼염화 붕소 | Boron trichloride |
| 12. BBr3 | 붕소 | Trichlorosilane |
Hydride Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 13. GeH4 | 모노게르만 | Monogermane |
| 14. H2Se | 세렌화수소 | Hydrogen Selenide |
Halogen · Halogenide Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 15. F2 | 불소 | Fluorine |
| 16. Cl2 | 염소 | Chlorine |
| 17. NF3 | 삼불화질소 | Nitrogen Trifluoride |
| 18. SF6 | 육불화황 | Sulfur Hexafluoride |
| 19. WF6 | 육불화텅스텐 | Tungsten Hexafluoride |
| 20. HCl | 염화수소 | Hydrogen Chloride |
| 21. HF | 불화수소 | Hydrogen Fluoride |
| 22. HBr | 브롬화수소 | Hydrogen Bromide |
| 23. HI | 요화수소 | Hydrogen Iodide |
| 24. ClF3 | 삼불화염소 | Chlorine Trifluoride |
Halogeno, Hydrocarbon Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 25. CHF3 | 삼불화메탄 | (Trifluoromethane) |
| 26. CF4 | 사불화메탄 | (Tetrafluoromethane) |
| 27. C2F6 | 육불화에탄 | (Hexafluoroethane) |
| 28. C3F8 | 팔불화프로판 | (Perfluoropropane) |
| 29. C4F8 | 팔불화시클로부탄 | (Octafluorocyclobutane) |
| 30. CHCl3 | 클로로폼 | (Chloroform) |
Nitrogen Oxide Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 31. N2O | 일산화질소 | Nitrous Oxide |
E.T.C Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 32. NH3 | 암모니아 | (Ammonia) |
| 33. CO2 | 이산화탄소 | (Corbon Dioxide) |
| 34. H2S | 황화수소 | (Hydrogen Sulfide) |
Carrier Gases Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 35. H2 | 수소 | Hydrogen |
| 36. N2 | 질소 | Nitrogen |
| 37. O2 | 산소 | Oxygen |
| 38. He | 헬륨 | Helium |
| 39. Ar | 알곤 | Argon |
E.T.C.
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| 40. (CH3O)3PO | 트리메틸포스페이트 | (Trimethyl phosphate) |
| 41. PF3 | 삼불화인 | (Phosphorus trifluoride) |
| 42. CH3F | 플루오르화메틸 | (Methyl Fluoride) |
| 43. CHClF2 | 염화이불화메탄 | (Monochlorodifluoro methane) |
| 44. (CH3O)3B | 트리메틸 보레이트 | (Trimethyl borate) |
| 45. POCl3 | 옥시염화인 | (Phosphorus oxychloride) |
| 46. PF5 | 오불화인 | (Phosphorus pentafluoride) |
| 47. CHF3 | 트리플루오르메탄 | (Methane trifluoride) |
| 48. (CH3O)3P | 트리메틸포스파이트 | (Trimethyl phosphite) |
| 49. (C2H5O)4Si | 테트라에톡시실란 | (Tetraethoxysilane) |
| 50. (C2H5)3Sb | 트리에틸안티몬 | (Triethylantimony) |
Balance
- Arsine in Semiconductor Purity Background GasAsH3 / Ar, He, H2, N2 Balance
- Diborane in Semiconductor Purity Background GasB2H6 / Ar, He, H2, N2 Balance
- Phosphine in Semiconductor Purity Background GasPH3 / Ar, He, H2, N2 Balance
- Silicon Tetrafluoride / OxygenSiF4 / O2 Balance
- Halocarbon14 / Oxygen MixturesSCF4 / O2 Balance